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Typical Characteristics
10
2000
I D = 26A
V DS = 10V
20V
f = 1MHz
V GS = 0 V
8
6
4
2
0
15V
1600
1200
800
400
0
C rss
C oss
C iss
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
1000
5000
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
R DS(ON) LIMIT
10μs
4000
R θ JC = 2.9°C/W
T A = 25°C
100
1mS
10mS
100μs
3000
10
V GS = 10V
DC
100mS
2000
1
SINGLE PULSE
R θ JC = 2.9 o C/W
T A = 25 o C
1000
0
0.1
1
10
100
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
R θ JC (t) = r(t) * R θ JC
R θ JC = 2.9 °C/W
0.2
0.1
0.1
0.05
P(pk
t 1
t 2
0.01
0.02
0.01
SINGLE PULSE
T J - T A = P * R θ JC (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDP6030L/FDB6030L Rev E(W)
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